中國儲能網訊：據了解，德國企業(yè)博世目前正在研發(fā)碳化硅（SiC）半導體，用以進一步提升電動車的能源使用效率，預計該半導體材料將于2020年開始投產。
碳化硅被業(yè)界普遍認為是下一代功率半導體材料，它具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率的優(yōu)勢。相比如今的IGBT功率半導體，它的發(fā)熱更低，效率更高，節(jié)省的能耗能夠為電動車帶來約6%的續(xù)航里程提升。
如今，電動車企普遍依靠提升電池容量的方式來增加續(xù)航里程，然而受限于電池技術的發(fā)展速度以及成本，電動車企已經很難再通過此方法獲得顯著的續(xù)航提升，且要面臨較高的安全風險。在這樣的背景下，如何提升電動車的能源使用效率，降低能耗成為業(yè)界提升電動車續(xù)航的另一個思路。目前，特斯拉在Model 3以及新款Model S、Model X車型的驅動系統(tǒng)電控單元上，率先采用了碳化硅半導體，并帶來了出色的能耗表現(xiàn)。博世或許正是看到了碳化硅半導體長遠的發(fā)展前景，所以開始著力研發(fā)碳化硅半導體，但它也存在制造成本過高的問題，有待制造商解決。（消息來源：slashgear；編譯/汽車之家 胡永彬）
